Разработаны новые материалы для суперскоростных вычислительных систем
Российские физики достигли успеха в создании идеальной границы раздела между ферромагнетиками и антиферромагнетиками. Эти результаты открывают новые горизонты для разработки высокоскоростных и энергоэффективных вычислительных устройств, как сообщили в Физическом институте им. П. Н. Лебедева РАН (ФИАН). Сообщает ТАСС.
Слоистые магнитоупорядоченные материалы, включающие ферромагнетики и антиферромагнетики, считаются перспективными для создания спинтронных устройств, которые используют как электрический заряд электрона, так и его спин. Однако для реализации этих технологий необходимо соблюдение определенных условий, которые не могут быть выполнены в рамках одного типа материала. Одним из возможных решений является создание двумерного ферромагнитного слоя на поверхности слоистых антиферромагнетиков, что позволит объединить преимущества обоих типов материалов.
Ученые из ФИАН успешно сформировали практически идеальную ферромагнитно-упорядоченную границу в слоистом антиферромагнитном кристалле. Академик Владимир Пудалов, руководитель Центра высокотемпературной сверхпроводимости и квантовых материалов ФИАН, отметил, что это открывает новые возможности для создания быстродействующих и стабильных устройств с магнитным упорядочением на наноуровне. Работа российских исследователей может способствовать прорыву в разработке технологий для хранения больших объемов данных и их быстрой обработки.
Ферромагнетики представляют собой твердые вещества, которые могут сильно намагничиваться даже в слабом магнитном поле и сохранять намагниченность после его исчезновения. Антиферромагнетики, в свою очередь, характеризуются тем, что магнитные моменты соседних атомов направлены противоположно друг другу, что приводит к нулевому или очень малому магнитному моменту. Эти эффекты взаимно компенсируются, что делает суммарную намагниченность материала близкой к нулю.
Результаты исследования опубликованы в научном журнале Physical Review Materials.
